簡歷：中國科學院院士，南京大學電子科學與工程學院教授、博士生導師。歷任國家重點基礎研究發展計劃（973計劃）信息領域專家咨詢組副組長、國家863計劃光電子主題專家組專家、國家自然科學基金委信息科學部專家咨詢委員會委員，現兼任中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會主任、科技部"第三代半導體材料"顧問專家組組長、國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟名譽理事長及技術委員會主、國家半導體照明研發及產業聯盟指導委員會委員。還兼任8個國家或省部級重點實驗室學術委員會任主任或委員、11個學術期刊編委以及6個國際學術會議顧問委員會或程序委員會委員。長期致力于半導體材料與器件物理研究，近年來主要從事寬禁帶半導體材料與器件研究。獲國家自然科學二等獎、國家技術發明二等獎和三等獎各一項、江蘇省科技進步一等獎2項、教育部自然科學一等獎2項以及其它省部級科技進步獎 7 項，還獲光華科技基金一等獎和江蘇省人才培養教學成果一等獎。
摘要：近些年來、半導體科學技術研究取得了諸多重大新進展，其中最引人注目的是上個世紀九十年代后期GaN和SiC寬禁帶半導體材料研究的突破，開拓創新發展了新一代半導體技術，即“寬禁帶半導體技術”。 由于這種寬禁帶半導體技術不同于以Ge、Si元素半導體為代表的第一代半導體技術和以GaAs、InP化合物半導體為代表的第二代半導體技術，因此又被稱作為“第三代半導體技術”。基于GaN、SiC寬禁帶半導體獨特材料性能所發展起來的第三代半導體技術是一種具有極端電、光性能和能耐惡劣環境的“高能效低功耗半導體技術”，它有望突破第一代、第二代半導體在光電子技術、電力電子和射頻功率電子等領域應用發展面臨的材料物理極限，滿足當代科學技術、經濟社會發展的迫切需求，有力支撐應對能源與環境面臨的嚴峻挑戰、以互聯網、物聯網和人工智能為標志的新一代信息技術的可持續發展和現代高新技術及其產業發展的迫切需求，受到了世界各國高度重視，成為當前半導體相關科學技術領域研發的熱點。
近年來，第三代半導體技術發展日新月異，并已形成了蓬勃發展的“高效固態光源”、“固態紫外探測”、“寬禁帶電力電子”和“寬禁帶射頻功率電子”等領域的新興產業，開拓了廣泛應用，為當代科學技術、經濟社會發展扮演了重要角色。本報告介紹基于GaN、SiC為代表發展起來的第三代半導體技術及其在現代科學技術中的應用現狀和發展前景。
報告題目：第三代半導體及其在現代高科技中的應用
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