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　　2007年入選中科院“百人計劃”，2009年獲“國家杰出青年基金”。2001年畢業(yè)于中國科學院半導體研究所，獲得理學博士學位。2001年至2004年，在美國伯克利勞倫斯國家實驗室做博士后；2004年至2007年，美國再生能源國家實驗室助理研究員；2007年5月，入選中國科學院“百人計劃”，同時進入半導體超晶格國家重點實驗室工作，從事半導體摻雜機制和納米材料的研究。 

　　取得的重要科研成果及所獲獎勵： 

　　在半導體摻雜機制和納米材料等前沿領(lǐng)域中取得的一系列創(chuàng)新性研究成果：(1)發(fā)表了一百余篇論文（其中“Nature”一篇，“Nature Material”一篇，“PRL”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），對半導體光電材料與器件的設(shè)計有重要的指導作用。(2)首次從理論上研究了形狀對納米團簇電子態(tài)的影響，并且對相關(guān)的實驗進行了解釋。(3)與合作者提出了Charge Patching方法，實現(xiàn)了上萬原子的第一性原理精度計算，該方法特別適用于大原胞的半導體合金和納米團簇的大規(guī)模計算。(4)對半導體摻雜機制有深入的研究，提出GaN和ZnO等實現(xiàn)p-型摻雜的實驗?zāi)Ｐ停⒂玫谝恍栽磉M行計算，獲得國際同行的廣泛關(guān)注。(5)首次研究了量子點中雜質(zhì)的穩(wěn)定性, 預(yù)言在硅摻雜的GaAs量子點中，如量子點的尺寸小于14納米，將出現(xiàn)DX深能級中心。(6)首次預(yù)言了CdS量子點比CdSe量子點更容易觀察到“暗激子現(xiàn)象”，該預(yù)言被美國P.F.Barbara教授的實驗小組所證實。論文已經(jīng)被國際同行高度評價和大量引用，至今已被引用兩千余次。2008年9月2日《科技日報》第十版以《李京波：半導體照明學科帶頭人》為題報道了其最新研究進展。2009年3月17日《自然》（亞洲材料）報道了其研究小組在光催化材料研究中取得的重要進展。2009年獲國家杰出青年基金（信息學部）。2011年獲浙江省“千人計劃”榮譽稱號，2012年中科院“百人計劃”終期評估，獲評“優(yōu)秀”。