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軍工航天新聞

JAXA制造出InGaAs單結晶半導體激光器

admin 來源:激光商情網2010-08-05 我要評論(0 )   

此次制作的單結晶。JAXA提供 6月19日消息,日本宇宙航空研究開發機構(JAXA)成功制造出了30mm見方的InGaAs單結晶。這是通過利用宇宙實驗獲得的成果,開發出使溫度與濃...


此次制作的單結晶。JAXA提供


6月19日消息,日本宇宙航空研究開發機構(JAXA)成功制造出了30mm見方的InGaAs單結晶。這是通過利用宇宙實驗獲得的成果,開發出使溫度與濃度梯度一致的新結晶成長法,并通過減小溶液的厚度抑制對流實現結晶化。該產品是根據以獨立行政法人新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)為中心制定的共同研究協議,由JAXA與NTT及Furuuchi Chemical共同開發出來的。

  另外,JAXA等還采用此次開發的結晶技術制造出了半導體激光器,并利用光纖進行了通信實驗。采用波長為1.3μm的激光成功進行了20km的遠程通信。通過光纖傳導準確無誤地傳輸了每秒1010次的閃爍信號。

  InGaAs半導體激光器與原來的InP半導體激光器相比,即使溫度升高,輸出功率也不會明顯降低。因此,無需冷卻,因而可減少耗電量。JAXA期待今后InGaAs半導體激光器可作為能夠大幅削減耗電量的半導體激光器,應用于基于光通信的都市網絡基站。

 


圖:新結晶成長法的原理(左)新開發的激光器的結構(中間)比較輸出溫度依存性的概念圖(右)

  JAXA計劃從2010年秋到2011年在“希望”太空實驗室的微小重力環境下進行結晶成長實驗,以便在宇宙中制造出構造更加均勻的理想的單結晶。通過與在地面獲得的單結晶相比較,開發出性能更高的單結晶制造技術。

 

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