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宜普電源轉換公司發布第九階段可靠性測試報告，記錄受測器件在累計超過900萬個器件-小時的應力測試后,沒有發生故障。該報告聚焦電路板熱機械可靠性，首次描述焊點的完整性的預測模型，以及與可比的封裝器件相比，展示出采用晶圓級芯片規模封裝（WLCSP）的氮化鎵晶體管具備卓越的可靠性。

宜普電源轉換公司的第九階段可靠性測試報告表明所有受測的器件都通過了嚴謹的熱機械可靠性測試。我們過去已發布了八份關于產品可靠性的測試報告，第九階段可靠性測試報告進一步累積與氮化鎵技術相關的知識，以及實現我們的承諾，與工程師分享對氮化鎵技術的學習研究。

宜普公司首席執行官及共同創始人Alex Lidow博士說：「要展示全新技術的可靠性是一個重大的挑戰。我們非常重視所有產品的可靠性。第九階段可靠性測試報告闡述我們采用晶圓級芯片規模封裝的氮化鎵產品無論在可靠性、成本及性能方面都比硅基元件優越，是替代硅技術的首選半導體技術。丟棄封裝的時候終于來臨了。」

EPC公司的場效應晶體管（FET）及集成電路采用晶圓級芯片規模封裝（WLCSP），可以提高性能、降低成本及把元件的占板面積減至最小而同時提高可靠性。WLCSP具備優越的散熱性能，于終端應用中焊接器件到PCB時，這是非常重要的。 第九階段可靠性測試報告主要闡述電路板熱機械可靠性。

所選的受測器件采用不同的封裝尺寸及焊接工位的布局和配置，并且使用預測焊點的完整性的模型。客戶可以利用本報告所述的熱機械應力模型來預測器件于各種特定最終應用中的可靠性。在與最終應用相關的任意壓力條件下，客戶可利用焊點應變之間的相關性和器件的熱疲勞壽命，利用模型來預測熱循環引致的器件故障。

從這九份可靠性報告所累計的資料可以看到，eGaN FET及集成電路是非常可靠的器件，以及在目前的終端產品的合理壽命內，eGaN FET及集成電路的失效概率是非常低的。與硅器件相比，報告描述了氮化鎵技術具備卓越的性能、成本及可靠性，丟棄采用較低可靠性封裝的硅器件、轉用芯片級氮化鎵場效應晶體管及集成電路的時候終于來臨了。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括 直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，網址為www.epc-co.com.cn 。

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。