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       半導體物理學的迅速發展及隨之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為杰出。
       在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化鎵材料的光發射現象，這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）的極大興趣，在會后回家的火車上他寫下了有關數據。回到家后，哈爾立即制定了研制半導體激光器的計劃，并與其他研究人員一道，經數周奮斗，他們的計劃獲得成功。
       像晶體二極管一樣，半導體激光器也以材料的p-n 結特性為基礎，且外觀亦與前者類似，因此，半導體激光器常被稱為二極管激光器或激光二極管。
       早期的激光二極管有很多實際限制，例如，只能在77K 低溫下以微秒脈沖工作，過了8年多時間，才由貝爾實驗室和列寧格勒（現在的圣彼得堡）約飛（Ioffe）物理研究所制造出能在室溫下工作的連續器件。而足夠可靠的半導體激光器則直到70年代中期才出現。
       半導體激光器體積非常小，最小的只有米粒那樣大。工作波長依賴于激光材料，一般為0.6～1.55微米，由于多種應用的需要，更短波長的器件在發展中。據報導，以Ⅱ～Ⅳ價元素的化合物，如ZnSe 為工作物質的激光器，低溫下已得到0.46微米的輸出，而波長0.50～0.51微米的室溫連續器件輸出功率已達10毫瓦以上。但迄今尚未實現商品化。
       光纖通信是半導體激光可預見的最重要的應用領域，一方面是世界范圍的遠距離海底光纖通信，另一方面則是各種地區網。后者包括高速計算機網、航空電子系統、衛生通訊網、高清晰度閉路電視網等。但就目前而言，激光唱機是這類器件的最大市場。其他應用包括高速打印、自由空間光通信、固體激光泵浦源、激光指示，及各種醫療應用等。