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光芯狂飆!中國激光芯片軍團強勢崛起

十一郎 來源:激光制造網2025-03-11 我要評論(0 )   

2025年3月3日,激光芯片廠商縱慧芯光半導體科技有限公司(簡稱“縱慧芯光”)在新落成的FabX廠房舉行潔凈車間進機儀式。此次高端光芯片先進制造中心的建成投入使用,標...

2025年3月3日,激光芯片廠商縱慧芯光半導體科技有限公司(簡稱“縱慧芯光”)在新落成的FabX廠房舉行潔凈車間進機儀式。此次高端光芯片先進制造中心的建成投入使用,標志著縱慧芯光在技術創新和生產能力方面邁出了堅實的一步。    

而這僅僅是近年來中國激光芯片項目密集落地的一個縮影。  
事實上,2025年前后,中國的激光芯片項目正以驚人的速度密集落子,迎來新一輪爆發式增長。其中,檸檬光子半導體激光芯片制造項目簽約南通,芯辰半導體太倉基地年產8000萬顆光芯片產線投產,縱慧芯光VCSEL芯片累計出貨突破3億顆,武漢鑫威源突破氮化鎵激光芯片關鍵技術,兆馳股份斥資10億元布局光通信芯片及模塊全產業鏈,鈮奧光電完成近億元A+輪融資……
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從南通到太倉,從武漢到蘇州,多個投資超億元的項目如雨后春筍般涌現,涵蓋了半導體激光芯片、氮化鎵激光器、薄膜鈮酸鋰光芯片等多個細分領域。檸檬光子、芯辰半導體、武漢鑫威源、兆馳股份等知名企業紛紛加碼布局,加上資本市場的熱錢持續涌入,為這一領域的快速發展注入了強勁動力。        
然而,面對上游材料設備依賴進口和技術過剩的風險,中國激光芯片產業仍需不斷努力,通過技術創新、資本整合和產業鏈協同三大戰略,打破國外巨頭的技術封鎖,實現從“國產替代”到“全球引領”的跨越。
毫無疑問,當中國激光芯片軍團從“國產替代”邁向“全球引領”,全球光電產業格局的裂變已然開始,一場有望重塑全球光電產業格局的“中國行動”正在上演!

1

長三角“光芯走廊”初現雛形

     

長三角地區,特別是南通、太倉、蘇州、常州、紹興等城市,正逐步成為光芯片項目的戰略高地。“光芯走廊”的雛形已經顯現,為區域光電產業的協同發展提供了有力支撐。
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2025年1月8日,南通市北高新區迎來新年首個重大產業項目——檸檬光子半導體激光芯片制造項目簽約。項目分期實施,一期項目總投資約1億元,預計5年累計銷售超3.4億元,稅收累計超1800萬元。二期擬用地約25畝,新建約3萬平方米廠房和辦公用房,全面達產后年應稅銷售約4億元,年納稅約2500萬元。
更重要的是,投資方計劃建設檸檬光子華東研發中心及華東銷售中心,構建了完整產業生態。          
在距離南通200公里左右的蘇州太倉,芯辰半導體8億元投資的IDM生產線已進入量產階段——2024年12月,芯辰半導體(蘇州)有限公司外延設備已投產。
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這條覆蓋砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)四元化合物的全材料體系產線,能夠生產760nm-1700nm波長范圍的激光芯片,年產能達8000萬顆。其自主研發的DFB芯片已通過國內頭部光通信企業驗證,填補了國內高端光芯片制造空白。
公開資料顯示,芯辰半導體專注于生產VCSEL和EEL激光器芯片。其產品廣泛應用于光通信、激光雷達、生物醫學和先進裝備等多個領域。
2024年10月,常州縱慧芯光半導體科技有限公司“3英寸化合物半導體芯片制造項目”封頂儀式圓滿完成,該項目計劃新建生產用房及輔助用房約2.8萬平方米,預計2025年投產,達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。2024年11月,縱慧芯光宣布,公司達成VCSEL芯片累積出貨量突破3億顆的新里程碑。
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此外,同樣位于長三角區域的浙江紹興,近日也有高端半導體激光器芯片的項目開工建設!2025年2月27日,浙江能訊光電科技有限公司光電集成產品產業化項目正式開工,將主攻高功率激光、光通信激光和3D傳感等芯片“卡脖子”領域,填補國內高端半導體激光器芯片的空白。    
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據悉,該項目總建筑面積3萬多平方米,項目擬新購置各類生產設備1300多臺(套),建成后預計形成光電集成產品7萬套的年生產能力。項目產品主要應用于光通信、激光雷達、工業激光等領域,產品性能對標國際龍頭企業,能有效填補國內高端半導體激光器芯片的空白。
事實上,在南通、蘇州、無錫、常州、紹興等構成的長三角光電產業帶上,已形成"材料外延-芯片制造-封裝測試-系統集成"的全產業鏈生態。
梳理可以發現,檸檬光子華東研發中心落戶南通市北高新區,光芯片廠商芯辰半導體在太倉打造砷化鎵/磷化銦光芯片IDM基地,縱慧芯光常州項目封頂后即將投產——這些項目普遍采用‘研發+制造’雙中心模式運作,從而形成了從材料到封測的完整產業鏈條。
值得一提的是,地方政府也在加速布局光芯片領域。江蘇省工信廳2025年工作要點提出,將重點支持光電芯片等前沿領域,計劃設立50億元專項基金。蘇州市更是在《光子產業發展行動計劃》中明確,到2027年培育3家百億級光子企業。    

2

武漢光谷的“技術突圍”


而在華中地區,武漢光谷則依托高校資源與軍工底蘊,聚焦高功率與特種激光芯片。其中,總投資10億元的武漢光谷鑫威源項目,成功填補了氮化鎵激光芯片的空白,進一步強化了‘光芯屏端網’產業鏈。
公開資料顯示,武漢鑫威源公司專注于氮化鎵半導體激光器芯片的設計、開發與制造,致力于推動國產氮化鎵半導體激光器的產業化進程。2024年9月,武漢鑫威源宣布在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破,同時氮化鎵半導體激光器芯片產線順利完成通線試產。
此次通線試產的成功,不僅展示了武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片技術領域的強大實力,也標志著公司在實現國產氮化鎵半導體激光器產業化方面邁出了關鍵一步。未來,武漢鑫威源將繼續致力于技術創新和產品質量提升,為國內外市場提供高性能、可靠的氮化鎵半導體激光器產品,助力光電子行業的蓬勃發展。 
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據悉,鑫威源電子以氮化鎵激光芯片為突破口,成功實現藍光450nm芯片國產化。其產線位于江夏經開區大橋智能制造產業園,依托武漢光谷的科研資源,構建了涵蓋設計、外延、制造的IDM模式。
這條氮化鎵激光芯片產線,不僅填補了國內可見光激光器的空白,更通過與當地高校的光電子聯合實驗室,推動產學研深度融合。這一布局不僅填補了國內可見光大功率激光器的空白,更將光谷的產業優勢從光纖通信向激光芯片上游延伸。
有行業分析師指出:“地方政府的差異化布局,既避免了重復投資,又形成了互補優勢——長三角強在制造與商業化,光谷勝在基礎研究與軍用轉化。”

3

激光芯片產業融資“井噴”


隨著激光芯片產業的快速發展,資本市場也給予了高度關注。近年來,多家激光芯片企業成功獲得融資,為產業的發展提供了強有力的資金支持。              
近日,江蘇鈮奧光電科技有限公司近日完成了近億元A+輪融資,本輪融資由國內知名創投機構金浦智能領投,廣州產投、萬聯廣生跟投。融資將重點投向薄膜鈮酸鋰光芯片的規模化量產及下一代智算集群光互聯、激光雷達、光計算等前沿領域的技術布局。
據資料顯示,鈮奧光電成立于2020年7月,是一家專注于薄膜鈮酸鋰調制器及相關高端光芯片的設計、研發和銷售的高科技企業。
此前,常州縱慧芯光半導體科技有限公司也宣布完成了數億元人民幣的C4輪融資。本輪由國開制造業轉型升級基金領投,聯動豐業、蘇州永鑫、海南芯禾、青創基金跟投。截至目前,該公司已完成共計7輪融資,背后站著哈勃、小米、比亞迪、大疆創新、禾賽科技、速騰聚創等超20家知名VC/PE和產業資本。
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與此同時,兆馳股份也宣布將投資10億元用于建設兩大光通信項目,旨在打通光芯片至終端模塊的垂直整合,打造一站式解決方案。
這些資本的注入,將進一步推動激光芯片產業的發展和創新。
分析可以發現,2024年至今,激光芯片領域融資呈現“單筆金額大、產業資本主導”特征。
其中,縱慧芯光C4輪融資吸引國開制造業基金領投,背后股東涵蓋小米、比亞迪等終端巨頭,其背后是比亞迪、禾賽科技等車企與激光雷達廠商的供應鏈安全訴求;而鈮奧光電的A+輪融資則獲得金浦智能、廣州產投加持,目標直指AI算力中心的光互聯需求。 
事實上,資本涌入的背后,是市場對激光芯片“千億級賽道”的共識:據Yole預測,2025年全球激光芯片市場規模將突破200億美元,其中自動駕駛領域、數據中心光通信、消費電子3D傳感三大領域貢獻超70%增量。

4

兆馳股份的產業鏈縱向整合


值得注意的是,為了進一步提升競爭力,國產廠商正在加速布局激光芯片產業鏈上下游,力求打造一站式解決方案。          
其中,總部位于深圳的上市公司兆馳股份也入局光芯片領域。2024年底,兆馳股份發布了兩則重要投資公告,分別涉及光通信高速模塊以及光器件項目(一期)和光通信半導體激光芯片項目(一期),總投資10億元。
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此舉被視為兆馳股份利用LED產業鏈的優勢,成功切入光通信激光芯片與模塊領域。具體而言,兆馳股份將通過全資子公司兆馳半導體擬投資建設年產1億顆光通信半導體激光芯片項目(一期),并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線。這一舉措將有助于兆馳股份進一步打通光通信激光芯片與終端模塊的垂直整合,加速推動公司在光通信領域產業鏈的發展。
有分析認為,兆馳股份通過收購瑞谷光網切入光模塊市場,再以兆馳半導體為基地向上游芯片延伸,形成“芯片—器件—模塊”閉環。
兆馳股份表示,基于LED與半導體激光芯片產業技術的相似性,并結合現有產業布局,該項目有助于進一步打通光通信激光芯片與終端模塊的垂直整合,加速推動公司在光通信領域產業鏈的發展,實現多產業橫向融合與多賽道協同發展。

5

從“國產替代”到“全球引領”

    

未來,隨著人工智能、自動駕駛、量子通信等前沿領域對高精度、高可靠性激光器需求的激增,激光芯片作為核心組件,正從“幕后”走向產業鏈聚光燈下。
以檸檬光子為例,其南通項目分兩期推進,總投資超1億元,覆蓋垂直腔面發射激光器(VCSEL)、水平腔面發射激光器(HCSEL)及邊發射激光器(EEL)三大產品線,目標直指5G光通信、AR/VR和激光雷達市場。
而芯辰半導體在太倉投產的砷化鎵、磷化銦光芯片產線,則填補了國內四元化合物材料外延技術的空白,年產能達8000萬顆。
值得關注的是,武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片領域的突破,其藍光450nm芯片光電轉換效率達到45%,標志著國產大功率可見光激光器的產業化邁出關鍵一步。          
此次中國激光芯片產業的“井噴”,是技術突破、資本助推、政策紅利共同作用的結果。在這場產業突圍戰中,國產廠商正通過技術創新、資本整合、產業鏈協同三大戰略,試圖打破國外巨頭長達數十年的技術封鎖。 
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有分析認為,光芯片產業要實現從“國產替代”到“全球引領”的跨越,仍需在基礎材料、核心裝備、應用生態等層面構建護城河。此外,行業還需持續關注上游材料設備‘卡脖子’問題以及低端產能過剩可能引發的價格戰風險。
展望未來,隨著5G、人工智能、自動駕駛等技術的持續發展和普及,激光芯片的應用場景將進一步拓展和深化。國產廠商在激光芯片領域的自主研發能力和市場競爭力也將不斷提升。在政策的支持和資本的助力下,激光芯片產業將迎來更加廣闊的發展前景。
來源:激光制造網 編輯:十一郎


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