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       近日，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱“長光華芯”)公告，全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司(簡稱“研究院”)與蘇州科技城管理委員會簽訂項目投資合作協議，擬在太湖科學城新建先進化合物半導體光電子平臺項目。項目總占地面積約31畝，投資總額約10億元。

　　據公告介紹，蘇州高新區聚焦光子產業發展，推動產業鏈、資金鏈、人才鏈深度融合，以加速打造千億級光子產業創新集群為目標，持續優化光子產業創新創業生態。為響應蘇州太湖光子中心建設推進暨蘇州高新區產業創新集群發展的號召，公司全資子公司“研究院”與蘇州科技城管理委員會依據相關法律法規規定，在昨日簽訂了合作協議。

　　公司擬計劃根據項目進程，合理分期投資自有資金及自籌資金10億元在太湖科學城建設先進化合物半導體光電子平臺項目(包括生產中心、研發中心和動力站及配套設施建設，設備采購及后期運營等)。項目計劃2023年開工，2025年建成投產，本項目預計年產值不低于6億元。該項目將依法依規得到蘇州科技城管理委員會及各級政府政策支持，將依法依規盡快完成辦理各項手續。

　　項目內容：研究院計劃在太湖科學城新建先進化合物半導體光電子平臺項目，形成年產1億顆芯片、500萬器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產線建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發、封測能力(包括6-8寸器件封測生產線建設)。

　　長光華芯表示，本次投資的項目內容有利于提升公司的產品供應能力，進一步鞏固和擴大公司的市場份額;有利于完善公司光電子產業鏈布局;有利于公司與地方政府實現優勢互補、互惠。公司擬進行的項目建設將增加公司資本開支和現金支出，但對公司長期的業務布局和經營業績具有積極影響，符合公司整體戰略發展規劃。

      長光華芯專注于研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。